科技日報訊 （記者魏依晨）3月15日，由中國電工技術(shù)學(xué)會主持、寧夏超導(dǎo)泛科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“寧夏超導(dǎo)泛科技”）牽頭組織的“高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備、技術(shù)及應(yīng)用科技成果鑒定會”在寧夏銀川市舉辦。
據(jù)悉，寧夏超導(dǎo)泛科技成立于2024年12月，由寧夏盈谷實業(yè)股份有限公司、江西聯(lián)創(chuàng)超導(dǎo)技術(shù)有限公司等多家企業(yè)和自然人聯(lián)合投資設(shè)立。
鑒定會上，由中國科學(xué)院院士甘子釗領(lǐng)銜的專家委員會對項目進(jìn)行了全面評估。專家一致認(rèn)為，該技術(shù)填補了我國在高端硅晶體制造領(lǐng)域的多項空白，綜合性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平。
據(jù)介紹，高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備、技術(shù)及應(yīng)用的關(guān)鍵，在于引入高溫超導(dǎo)磁體技術(shù)。科研團(tuán)隊針對高品質(zhì)大尺寸硅單晶生長技術(shù)瓶頸，研制出高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備，形成大尺寸硅單晶長棒快速、高穩(wěn)定性、低含氧量的生長工藝，實現(xiàn)大尺寸（12英寸以上）高品質(zhì)硅單晶的生產(chǎn)，經(jīng)濟(jì)和社會效益顯著。
根據(jù)項目報告顯示，寧夏超導(dǎo)泛科技自主研發(fā)的高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長設(shè)備及技術(shù)，可將硅片含氧量穩(wěn)定控制在5ppma（質(zhì)量百萬分比）以下，硅棒頭尾利用率提升4%以上，生產(chǎn)效率提升12%，目前已拉出直徑達(dá)340毫米的高品質(zhì)硅棒。
甘子釗院士在評審中表示：“這是國際上首次將高溫超導(dǎo)技術(shù)應(yīng)用于磁控直拉單晶生長，為高溫超導(dǎo)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化做了很多開創(chuàng)性的工作，開辟了超導(dǎo)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化新賽道。”他特別提到，該技術(shù)對實現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)具有戰(zhàn)略意義。
專家委員會認(rèn)為，該項目解決了磁控條件下大尺寸硅單晶生長爐高溫度均勻性節(jié)能型熱場設(shè)計、模塊化大尺寸傳導(dǎo)冷卻高溫超導(dǎo)磁體設(shè)計、電—磁—熱—流體多場耦合下硅單晶生長分析與控制等關(guān)鍵技術(shù)難題，取得多項創(chuàng)新性技術(shù)成果。科研團(tuán)隊研制的高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備，在生產(chǎn)實踐中得到了應(yīng)用，這表明該項目總體技術(shù)水平已達(dá)國際領(lǐng)先。
（責(zé)任編輯：蔡文斌）
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